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製品と技術

IC製造プロセス
エピタキシャル成長
1.エピタキシャル成長
シリコン基板上に所定の厚さ、抵抗率を有するN型の単結晶シリコンを気相成長させます。
酸化
2.酸化
シリコン基板に不純物拡散のマスクとなる熱酸化膜を形成します。
写真製版
3.写真製版
ウエハ表面の酸化膜上に感光剤(フォトレジスト)を均一に塗布します。 次にフォトマスクを用いステッパにより紫外線を当てて露光します。 露光済みのウエハを現像液で現像するとパターンが出来上がります。
エッチング
4.エッチング
パターニングされたレジストをマスクとして下地の酸化膜をエッチングします。 エッチングにはプラズマを用いたドライエッチングが用いられます。
イオン注入
5.イオン注入
酸化膜やレジストをマスクとしてP型やN型の不純物をイオン化しシリコン基板へ打ち込みます。 イオン注入は打ち込む不純物イオンの数を電気的な方法で直接測ることができるため、精密な抵抗値の制御ができます。
拡散・CVD
6.拡散・CVD
注入したN型やP型の不純物を高温でシリコン中に拡散します。 また、絶縁膜,導電膜を形成します。
スパッタリング(電極形成)
7.スパッタリング(電極形成)
ウエハに形成されたトランジスタや抵抗を結びつけるためにアルミニウムを真空中でスパッタします。 このあとパターニングし、電極および配線を形成します。
パッシベーション
8.パッシベーション
アルミ配線を形成したあと最表面の保護膜である窒化膜をプラズマでデポジションします。 このあとバックグラインドを行いウエハ工程の完成となります。
バックグラインド
9.バックグラインド
ウエハ裏面をグラインダーで指定の厚みまで研磨します。
ウエハテスト
10.ウエハテスト
こうしてウエハ上に形成された数ミリ角のチップは自動テスターで電気特性が試験されます。
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